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台积电6nm制程技术明年年底前量产,芯片依然是驱动力
2019-12-01 15:46:34
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[pconline information]10月9日,半导体制造商TSMC日前透露,该公司的6纳米工艺技术将于明年第一季度进入试生产,并将于明年年底大规模生产。TSMC表示,其极紫外(euv)光刻技术的7纳米强大版本(n7+)工艺帮助客户大量进入市场。引入euv光刻技术的N7+是基于公司成功的7纳米工艺,为6纳米和更先进的工艺奠定了良好的基础。

TSMC还表示,n7+的量产速度是量产史上最快的速度之一。大规模生产将于2019年第二季度开始。在7纳米工艺技术(n7)大规模生产持续一年以上的情况下,n7+的产量与n7相当接近。N7+还提供整体性能提升。n7+的逻辑密度比n7高15%至20%,同时降低功耗。TSMC快速部署生产能力,以满足多个客户对n7+的需求。

据报道,紫外光刻技术使公司能够不断促进晶片小型化,因为euv的较短波长可以更好地分析先进工艺的设计。TSMC的euv设备已经达到成熟生产的实力,euv设备机器也达到了大规模生产的目标,日常运行输出功率超过250瓦。

TSMC说n7+的成功经验是未来先进工艺技术的基石。TSMC的6纳米工艺技术(n6)将在2020年第一季度开始试生产,并在年底前大规模生产。随着euv光刻技术的进一步应用,n6的逻辑密度将比n7提高18%,n6还可以通过与n7完全兼容的设计规则大大缩短客户产品的上市时间。

芯片变得越来越不可见,但它仍然是这一切背后的驱动力。从这个角度来看,TSMC可以说是数字产品升级的最大推动者。正是TSMC让消费者的最新苹果和华为手机使用最先进的处理器和通信芯片。

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